Ring Groove SiC Wafer Chuck—環(huán)槽碳化硅晶圓卡盤

環(huán)槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤是面向高溫、高功率制程與極限重復(fù)性需求的一種工程化夾持方案。采用碳化硅材料并在接觸面設(shè)計(jì)環(huán)形槽道，可同時(shí)解決熱管理、受力均勻性和顆粒污染三大痛點(diǎn)，提高良率與設(shè)備穩(wěn)定性。

材料與優(yōu)勢

碳化硅（SiC）兼具高熱導(dǎo)、低熱膨脹和高剛性，適用于外延生長、退火、擴(kuò)散與功率器件制程中的高溫工況。與常規(guī)金屬或氧化鋁陶瓷相比，SiC 在熱循環(huán)后變形小、耐磨損、化學(xué)穩(wěn)定性好，能顯著降低晶圓翹曲與熱應(yīng)力不均問題

環(huán)槽設(shè)計(jì)原理

環(huán)槽（Ring-Groove）通過在卡盤接觸面布置同心環(huán)形槽道，優(yōu)化真空/靜電通道路徑與接觸壓力分布。設(shè)計(jì)要點(diǎn)包括：

• 環(huán)槽位置與寬深比按晶圓尺寸與夾持方式匹配，避免邊緣應(yīng)力集中；

• 真空通道與排氣口布局應(yīng)保證整個(gè)晶圓受力均勻且易于脫附；

• 在高溫工況下，環(huán)槽有助于熱流分布均勻、減少局部過熱。

加工與制造要點(diǎn)

SiC 為硬脆材料，加工需采用金剛石刀具或精密磨削工藝，注意點(diǎn)包括：

• 粗精加工分步進(jìn)行以降低殘余應(yīng)力；

• 表面粗糙度與平面度按工藝要求定制（示例指標(biāo)：平面度可達(dá)0.01 mm 級(jí)，表面粗糙度 Ra0.1µm 以下，具體按設(shè)備/工藝調(diào)整）；

• 加工后需做嚴(yán)格清洗（超聲、去離子水、必要時(shí)化學(xué)處理）以及熱循環(huán)穩(wěn)定性測試。

典型應(yīng)用場景

環(huán)槽式碳化硅卡盤適用于外延（Epi）工藝、CMP 前后夾持、高溫退火與功率器件制程平臺(tái)，尤其在需要長時(shí)間高溫穩(wěn)定夾持且對(duì)翹曲敏感的場合效果顯著，為高溫與高精度制程提供了穩(wěn)定、可重復(fù)的夾持基礎(chǔ)。

環(huán)槽碳化硅晶圓卡盤制造商

環(huán)槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤結(jié)合 SiC 的高熱導(dǎo)與低熱膨脹特性，通過同心環(huán)槽優(yōu)化真空路徑與受力分布，顯著降低晶圓翹曲并提升高溫制程重復(fù)性。適配外延（EPI）、退火與功率器件制程，支持定制化環(huán)槽幾何與真空通道布局，歡迎索取技術(shù)參數(shù)表或預(yù)約樣件測試。

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